HSD60N10
IC
TO-252
可供量大可议
HSD60N10
特性：60A, 100V, RDS(on)(Typ) = 8.5mΩ @VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 100%雪崩测试。 快速开关。 改善的dv/dt能力。 应用：高频开关模式电源。 有源功率因数校正
品牌
HUAKE
封装
TO-252
库存
2,480
货期
现货
HSD60N10参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HUAKE(华科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2480 |
HSD60N10概述
特性：60A, 100V, RDS(on)(Typ) = 8.5mΩ @VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 100%雪崩测试。 快速开关。 改善的dv/dt能力。 应用：高频开关模式电源。 有源功率因数校正
HSD60N10特性
暂无产品特性。
HSD60N10应用领域
暂无应用领域。