HSD6016
IC
TO-251
可供量大可议
HSD6016
HSD6016是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSD6016符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试， 具备全功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
TO-251
库存
138
货期
现货
HSD6016参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 138 |
HSD6016概述
HSD6016是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSD6016符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试， 具备全功能可靠性认证。
HSD6016特性
暂无产品特性。
HSD6016应用领域
暂无应用领域。