HSCTW35N65G2V

这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型， 具有49A的连续电流能力（ID）， 并在阻断电压（VDSS）方面能达到650V。 其导通电阻（RDSON）仅为33毫欧， 适用于要求高效能与高频率操作的应用中。 该器件工作在栅源电压（VGS）范围从-5V至+20V之间， 能够在多种电路设计中作为开关元件或放大器使用， 尤其适合需要高压、大电流及低损耗特性的电子产品。