HSCT3060AR

这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具备49安培的电流承载能力（ID）， 以及650伏特的最大阻断电压（VDSS）。 其导通状态下的低电阻特性（RDSON为33毫欧）使其在高频开关应用中表现出色。 此器件支持从-5伏到+20伏的栅源电压（VGS）， 适用于需要快速切换和能量效率的关键电路设计中， 如高性能计算硬件或消费电子产品中的电源管理模块。