HSCS220AE2C
IC
TO-247
可供量大可议
HSCS220AE2C
这款碳化硅二极管具有20A的最大连续正向电流(IF/A), 并在650V的反向电压(VR/V)下提供稳定的阻断能力。 其正向电压(VF/V)为1.3V, 有效降低了导通时的电力损耗。 二极管的反向漏电流(IR/uA)为40微安, 保证了在非导通状态下的低功耗表现。 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达150A, 使其成为高频开关电源和其他要求苛刻的电子设备中的关键组件, 适用于需要快速切换与高可靠性的电路设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
10
货期
现货
HSCS220AE2C参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 10 |
HSCS220AE2C概述
这款碳化硅二极管具有20A的最大连续正向电流(IF/A), 并在650V的反向电压(VR/V)下提供稳定的阻断能力。 其正向电压(VF/V)为1.3V, 有效降低了导通时的电力损耗。 二极管的反向漏电流(IR/uA)为40微安, 保证了在非导通状态下的低功耗表现。 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达150A, 使其成为高频开关电源和其他要求苛刻的电子设备中的关键组件, 适用于需要快速切换与高可靠性的电路设计。
HSCS220AE2C特性
暂无产品特性。
HSCS220AE2C应用领域
暂无应用领域。
