HSCS215KGC17
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
HSCS215KGC17
这款碳化硅二极管具备15A的正向电流(IF/A)承载能力, 同时支持最高1200V的反向电压(VR/V), 适合用于高电压需求的场合。 其正向电压(VF/V)为1.27V, 有助于减少工作时的能量损失。 反向漏电流(IR/uA)为200微安, 在非导通状态下提供良好的隔离性。 瞬态峰值电流(IFSM/A)为100A, 意味着它可以承受短时间内的电流冲击, 增强了其在不稳定条件下的可靠性。 这些特性使其成为需要稳健性能与高效工作的电子设计的理想选择。
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-220C-2L
Stock
41
货期
现货
HSCS215KGC17Parameters
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 41 |
HSCS215KGC17概述
这款碳化硅二极管具备15A的正向电流(IF/A)承载能力, 同时支持最高1200V的反向电压(VR/V), 适合用于高电压需求的场合。 其正向电压(VF/V)为1.27V, 有助于减少工作时的能量损失。 反向漏电流(IR/uA)为200微安, 在非导通状态下提供良好的隔离性。 瞬态峰值电流(IFSM/A)为100A, 意味着它可以承受短时间内的电流冲击, 增强了其在不稳定条件下的可靠性。 这些特性使其成为需要稳健性能与高效工作的电子设计的理想选择。
HSCS215KGC17特性
暂无产品特性。
HSCS215KGC17应用领域
暂无应用领域。
