HSCS210KE2C
IC
TO-247-3L
可供量大可议
HSCS210KE2C
此款碳化硅二极管具备10A的正向电流(IF/A)承载能力, 同时支持最高达1200V的反向电压(VR/V)。 其正向电压(VF/V)为1.4V, 表明在导通状态下能有效减少电力损耗。 该二极管的反向恢复电流(IR/uA)为150μA, 确保了在非导通状态下的低漏电特性。 瞬态正向峰值电流(IFSM/A)可以达到46A, 使其适合应用于要求高效能与快速响应的电路设计中, 例如在精密仪器或消费电子产品中的电源管理模块, 能够显著提升系统的整体性能与稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-3L
库存
28
货期
现货
HSCS210KE2C参数
| 封装 | TO-247-3L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 28 |
HSCS210KE2C概述
此款碳化硅二极管具备10A的正向电流(IF/A)承载能力, 同时支持最高达1200V的反向电压(VR/V)。 其正向电压(VF/V)为1.4V, 表明在导通状态下能有效减少电力损耗。 该二极管的反向恢复电流(IR/uA)为150μA, 确保了在非导通状态下的低漏电特性。 瞬态正向峰值电流(IFSM/A)可以达到46A, 使其适合应用于要求高效能与快速响应的电路设计中, 例如在精密仪器或消费电子产品中的电源管理模块, 能够显著提升系统的整体性能与稳定性。
HSCS210KE2C特性
暂无产品特性。
HSCS210KE2C应用领域
暂无应用领域。
