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HSCS210KE2C
IC

TO-247-3L

可供量大可议

HSCS210KE2C

此款碳化硅二极管具备10A的正向电流(IF/A)承载能力, 同时支持最高达1200V的反向电压(VR/V)。 其正向电压(VF/V)为1.4V, 表明在导通状态下能有效减少电力损耗。 该二极管的反向恢复电流(IR/uA)为150μA, 确保了在非导通状态下的低漏电特性。 瞬态正向峰值电流(IFSM/A)可以达到46A, 使其适合应用于要求高效能与快速响应的电路设计中, 例如在精密仪器或消费电子产品中的电源管理模块, 能够显著提升系统的整体性能与稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247-3L

库存

28

货期

现货

HSCS210KE2C参数

封装TO-247-3L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存28

HSCS210KE2C概述

此款碳化硅二极管具备10A的正向电流(IF/A)承载能力, 同时支持最高达1200V的反向电压(VR/V)。 其正向电压(VF/V)为1.4V, 表明在导通状态下能有效减少电力损耗。 该二极管的反向恢复电流(IR/uA)为150μA, 确保了在非导通状态下的低漏电特性。 瞬态正向峰值电流(IFSM/A)可以达到46A, 使其适合应用于要求高效能与快速响应的电路设计中, 例如在精密仪器或消费电子产品中的电源管理模块, 能够显著提升系统的整体性能与稳定性。

HSCS210KE2C特性

暂无产品特性。

HSCS210KE2C应用领域

暂无应用领域。

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