HSCM040120L
IC
TO-247-4
可供量大可议
HSCM040120L
N沟道， 漏源电压：1200V， 连续漏极电流：65A， 导通电阻：52mΩ@18V， 耗散功率：375W， MOSFET产品， ESD防护。
Brand
Huixin
Package
TO-247-4
Stock
30
货期
现货
HSCM040120LParameters
| 封装 | TO-247-4 |
|---|---|
| 品牌 | Huixin(慧芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
HSCM040120L概述
N沟道， 漏源电压：1200V， 连续漏极电流：65A， 导通电阻：52mΩ@18V， 耗散功率：375W， MOSFET产品， ESD防护。
HSCM040120L特性
暂无产品特性。
HSCM040120L应用领域
暂无应用领域。