HSCM0020065K
IC
TO-247-4L
可供量大可议
HSCM0020065K
场效应管(MOSFET):N沟道, 漏源电压:650V, 连续漏极电流:92A, 导通电阻30mΩ@18V, 50A, 耗散功率:312W
品牌
Huixin
封装
TO-247-4L
库存
20
货期
现货
HSCM0020065K参数
| 封装 | TO-247-4L |
|---|---|
| 品牌 | Huixin(慧芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
HSCM0020065K概述
场效应管(MOSFET):N沟道, 漏源电压:650V, 连续漏极电流:92A, 导通电阻30mΩ@18V, 50A, 耗散功率:312W
HSCM0020065K特性
暂无产品特性。
HSCM0020065K应用领域
暂无应用领域。