HSCE4117
IC
DFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
HSCE4117
是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证单脉冲雪崩能量EAS， 具备完整功能可靠性认证。 超低栅极电荷， 100%保证单脉冲雪崩能量EAS， 出色的CdV/dt效应衰减， 提供绿色环保器件， 采用先进的高单元密度沟槽技术。
品牌
HUASHUO
封装
DFN-8(3.3x3.3)
库存
2,885
货期
现货
HSCE4117参数
| 封装 | DFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2885 |
HSCE4117概述
是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证单脉冲雪崩能量EAS， 具备完整功能可靠性认证。 超低栅极电荷， 100%保证单脉冲雪崩能量EAS， 出色的CdV/dt效应衰减， 提供绿色环保器件， 采用先进的高单元密度沟槽技术。
HSCE4117特性
暂无产品特性。
HSCE4117应用领域
暂无应用领域。