HSCE2530
IC
DFN3.3x3.3-8
可供量大可议
HSCE2530
HSCE2530 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSCE2530 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试， 具备全面的功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
DFN3.3x3.3-8
库存
3,339
货期
现货
HSCE2530参数
| 封装 | DFN3.3x3.3-8 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3339 |
HSCE2530概述
HSCE2530 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSCE2530 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试， 具备全面的功能可靠性认证。
HSCE2530特性
暂无产品特性。
HSCE2530应用领域
暂无应用领域。