HSCE1218
IC
DFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
HSCE1218
HSCE1218 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSCE1218 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 且经过全面功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
DFN-8(3.3x3.3)
库存
2,725
货期
现货
HSCE1218参数
| 封装 | DFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2725 |
HSCE1218概述
HSCE1218 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSCE1218 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 且经过全面功能可靠性认证。
HSCE1218特性
暂无产品特性。
HSCE1218应用领域
暂无应用领域。