HSCC8233
IC
TDFN-6-EP(2x3)
可供量大可议
HSCC8233
HSCC8233 是具有强大静电放电（ESD）保护功能的低导通电阻（RDSON）沟槽型 N 沟道 MOSFET。 该产品适用于锂离子电池组应用。 HSCC8233 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 且通过了全功能可靠性认证
品牌
HUASHUO
封装
TDFN-6-EP(2x3)
库存
1,265
货期
现货
HSCC8233参数
| 封装 | TDFN-6-EP(2x3) |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1265 |
HSCC8233概述
HSCC8233 是具有强大静电放电（ESD）保护功能的低导通电阻（RDSON）沟槽型 N 沟道 MOSFET。 该产品适用于锂离子电池组应用。 HSCC8233 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 且通过了全功能可靠性认证
HSCC8233特性
暂无产品特性。
HSCC8233应用领域
暂无应用领域。