HSCC8211
IC
DFN-6-EP(3x2)
可供量大可议
HSCC8211
HSCC8211是具有强大静电放电（ESD）保护功能的低导通电阻（RDSON）沟槽型N沟道MOSFET。 该产品适用于锂离子电池组应用。 HSCC8211符合RoHS标准和绿色产品要求， 并通过了全功能可靠性认证
品牌
HUASHUO
封装
DFN-6-EP(3x2)
库存
50
货期
现货
HSCC8211参数
| 封装 | DFN-6-EP(3x2) |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF |
| 商品名称 | 2个N沟道 耐压:20V 电流:8A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 输入电容(Ciss) | 735pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 商品型号 | HSCC8211 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 4.5e-05 |
HSCC8211概述
HSCC8211是具有强大ESD保护功能的低导通电阻沟槽型N沟道MOSFET。 该产品适用于锂离子电池组应用。 HSCC8211符合RoHS和绿色产品要求， 并通过了全功能可靠性认证。
HSCC8211特性
- 低漏源导通电阻
- 提供绿色环保器件
- 内置ESD保护
HSCC8211应用领域
暂无应用领域。