HSCC8204
IC
DFN-6-EP(3x2)
可供量大可议
HSCC8204
HSCC8204是具有强大静电放电（ESD）保护功能的低导通电阻（RDSON）沟槽型N沟道MOSFET。 该产品适用于锂离子电池组应用。 HSCC8204符合RoHS标准和绿色产品要求， 并通过了全功能可靠性认证
品牌
HUASHUO
封装
DFN-6-EP(3x2)
库存
165
货期
现货
HSCC8204参数
| 封装 | DFN-6-EP(3x2) |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 165 |
HSCC8204概述
HSCC8204是具有强大静电放电（ESD）保护功能的低导通电阻（RDSON）沟槽型N沟道MOSFET。 该产品适用于锂离子电池组应用。 HSCC8204符合RoHS标准和绿色产品要求， 并通过了全功能可靠性认证
HSCC8204特性
暂无产品特性。
HSCC8204应用领域
暂无应用领域。