HSCB8236
IC
DFN2x2-6L
可供量大可议
HSCB8236
是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET， 为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻和效率。 符合RoHS和绿色产品要求， 并通过了全功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
DFN2x2-6L
库存
2,750
货期
现货
HSCB8236参数
| 封装 | DFN2x2-6L |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2750 |
HSCB8236概述
是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET， 为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻和效率。 符合RoHS和绿色产品要求， 并通过了全功能可靠性认证。
HSCB8236特性
暂无产品特性。
HSCB8236应用领域
暂无应用领域。