HSCB20N06
IC
DFN-6L(2x2)
可供量大可议
HSCB20N06
是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证雪崩能量耐量， 具备完整功能可靠性认证。 100%保证雪崩能量耐量。 提供绿色环保器件。 超低栅极电荷。 出色的dv/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术
品牌
HUASHUO
封装
DFN-6L(2x2)
库存
1,605
货期
现货
HSCB20N06参数
| 封装 | DFN-6L(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1605 |
HSCB20N06概述
是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证雪崩能量耐量， 具备完整功能可靠性认证。 100%保证雪崩能量耐量。 提供绿色环保器件。 超低栅极电荷。 出色的dv/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术
HSCB20N06特性
暂无产品特性。
HSCB20N06应用领域
暂无应用领域。