HSCB20D05
IC
DFN2x2-6L
可供量大可议
HSCB20D05
HSCB20D05是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET， 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 HSCB20D05符合RoHS标准和绿色产品要求， 并通过了全功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
DFN2x2-6L
库存
1,095
货期
现货
HSCB20D05参数
| 封装 | DFN2x2-6L |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1095 |
HSCB20D05概述
HSCB20D05是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET， 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 HSCB20D05符合RoHS标准和绿色产品要求， 并通过了全功能可靠性认证。
HSCB20D05特性
暂无产品特性。
HSCB20D05应用领域
暂无应用领域。