HSCB2016
IC
DFN-6L(2x2)
可供量大可议
HSCB2016
HSCB2016是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET， 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 HSCB2016符合RoHS标准和绿色产品要求， 且通过了全功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
DFN-6L(2x2)
库存
195
货期
现货
HSCB2016参数
| 封装 | DFN-6L(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 195 |
HSCB2016概述
HSCB2016是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET， 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 HSCB2016符合RoHS标准和绿色产品要求， 且通过了全功能可靠性认证。
HSCB2016特性
暂无产品特性。
HSCB2016应用领域
暂无应用领域。