HSCB1216
IC
DFN-6L(2x2)
可供量大可议
HSCB1216
HSCB1216 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSCB1216 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 且通过了全功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
DFN-6L(2x2)
库存
6,620
货期
现货
HSCB1216参数
| 封装 | DFN-6L(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6620 |
HSCB1216概述
HSCB1216 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSCB1216 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 且通过了全功能可靠性认证。
HSCB1216特性
暂无产品特性。
HSCB1216应用领域
暂无应用领域。