HSCB10P02
IC
DFN2x2-6L
可供量大可议
HSCB10P02
HSCB10P02是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSCB10P02符合RoHS标准和绿色产品要求， 并通过了全功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
DFN2x2-6L
库存
3,300
货期
现货
HSCB10P02参数
| 封装 | DFN2x2-6L |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3300 |
HSCB10P02概述
HSCB10P02是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSCB10P02符合RoHS标准和绿色产品要求， 并通过了全功能可靠性认证。
HSCB10P02特性
暂无产品特性。
HSCB10P02应用领域
暂无应用领域。