HSCB0010E
IC
DFN-6L(2x2)
可供量大可议
HSCB0010E
N沟道快速开关MOSFET， 采用先进SGT MOS技术， 低导通电阻， 超低栅极电荷， 具备ESD保护
品牌
HUASHUO
封装
DFN-6L(2x2)
库存
1,300
货期
现货
HSCB0010E参数
| 封装 | DFN-6L(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1300 |
HSCB0010E概述
N沟道快速开关MOSFET， 采用先进SGT MOS技术， 低导通电阻， 超低栅极电荷， 具备ESD保护
HSCB0010E特性
暂无产品特性。
HSCB0010E应用领域
暂无应用领域。