HSC1333-01ETG
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HSC1333-01ETG
此款双向ESD静电保护二极管, 专为单通道电路设计, 3.3V电压下稳定工作, 能承受7A瞬时电流冲击, 为敏感元件筑起防静电屏障。 仅10pF的低电容值确保高速信号流畅无阻, 是保护各类精密电子设备免受静电损害的理想组件, 提升系统可靠性与数据传输质量。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
900
货期
现货
HSC1333-01ETG参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 900 |
HSC1333-01ETG概述
此款双向ESD静电保护二极管, 专为单通道电路设计, 3.3V电压下稳定工作, 能承受7A瞬时电流冲击, 为敏感元件筑起防静电屏障。 仅10pF的低电容值确保高速信号流畅无阻, 是保护各类精密电子设备免受静电损害的理想组件, 提升系统可靠性与数据传输质量。
HSC1333-01ETG特性
暂无产品特性。
HSC1333-01ETG应用领域
暂无应用领域。
