HSBSS84LT1G

这款P沟道场效应管（MOSFET）具有精细的电流处理能力， 其最大导通电流ID为0.1A， 适用于微小电流的应用场景； 漏源电压VDSS为50V， 适合在低压系统中使用； 导通状态下的漏源电阻RDSON为2000毫欧， 能够在低功率要求的情况下提供稳定的性能。 此MOSFET支持最大栅源电压VGS为20V， 适用于设计需要精确电流控制的电子玩具、家用电器控制电路以及个人电子产品中的负载开关等场合。