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HSBG2301
IC

DFN1006-3

可供量大可议

HSBG2301

P沟道快速开关MOSFET, 具备超低栅极电荷、低阈值、高端开关功能及先进高单元密度沟槽技术

品牌

HUASHUO

封装

DFN1006-3

库存

8,660

货期

现货

HSBG2301参数

封装DFN1006-3
品牌HUASHUO(华朔)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存8660

HSBG2301概述

P沟道快速开关MOSFET, 具备超低栅极电荷、低阈值、高端开关功能及先进高单元密度沟槽技术

HSBG2301特性

暂无产品特性。

HSBG2301应用领域

暂无应用领域。

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