HSBG2103
IC
DFN1006-3
可供量大可议
HSBG2103
HSBG2103 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSBG2103 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 且经过全面功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
DFN1006-3
库存
10,010
货期
现货
HSBG2103参数
| 封装 | DFN1006-3 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10010 |
HSBG2103概述
HSBG2103 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSBG2103 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 且经过全面功能可靠性认证。
HSBG2103特性
暂无产品特性。
HSBG2103应用领域
暂无应用领域。