HSBG2024
IC
DFN1006-3
可供量大可议
HSBG2024
HSBG2024是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET， 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 HSBG2024符合RoHS标准和绿色产品要求， 且通过了全功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
DFN1006-3
库存
9,340
货期
现货
HSBG2024参数
| 封装 | DFN1006-3 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9340 |
HSBG2024概述
HSBG2024是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET， 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 HSBG2024符合RoHS标准和绿色产品要求， 且通过了全功能可靠性认证。
HSBG2024特性
暂无产品特性。
HSBG2024应用领域
暂无应用领域。