HSBB4600
IC
PDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
HSBB4600
使用先进的沟槽技术， 提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
品牌
HUASHUO
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
库存
100
货期
现货
HSBB4600参数
| 封装 | PDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
HSBB4600概述
使用先进的沟槽技术， 提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
HSBB4600特性
暂无产品特性。
HSBB4600应用领域
暂无应用领域。