HSBA30N20
IC
PRPAK5x6-8L
可供量大可议
HSBA30N20
专有新型沟槽技术 RDS(ON)， 典型值 = 43mΩ（VGS = 10V 时） 低栅极电荷， 最大限度降低开关损耗 快速恢复体二极管
品牌
HUASHUO
封装
PRPAK5x6-8L
库存
59
货期
现货
HSBA30N20参数
| 封装 | PRPAK5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 59 |
HSBA30N20概述
专有新型沟槽技术 RDS(ON)， 典型值 = 43mΩ（VGS = 10V 时） 低栅极电荷， 最大限度降低开关损耗 快速恢复体二极管
HSBA30N20特性
暂无产品特性。
HSBA30N20应用领域
暂无应用领域。