HSBA1119
IC
PRPAK5x6-8L
可供量大可议
HSBA1119
HSBA1119 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSBA1119 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 100%通过耐雪崩能力（EAS）测试， 且具备完整功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
PRPAK5x6-8L
库存
1,373
货期
现货
HSBA1119参数
| 封装 | PRPAK5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1373 |
HSBA1119概述
HSBA1119 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSBA1119 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 100%通过耐雪崩能力（EAS）测试， 且具备完整功能可靠性认证。
HSBA1119特性
暂无产品特性。
HSBA1119应用领域
暂无应用领域。