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HS8K11TB
IC

UDFN-8-EP

可供量大可议

HS8K11TB

2个N沟道 耐压:30V 电流:11A 电流:7A

品牌

ROHM

封装

UDFN-8-EP

库存

60

货期

现货

产品参数概述特性应用领域

HS8K11TB参数

封装UDFN-8-EP
品牌ROHM(罗姆)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存60

HS8K11TB概述

2个N沟道 耐压:30V 电流:11A 电流:7A

HS8K11TB特性

暂无产品特性。

HS8K11TB应用领域

暂无应用领域。

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