HRUM002N02T2L
IC
SOT-723
可供量大可议
HRUM002N02T2L
这款N沟道MOSFET， 设计精巧， 耐压高达20V， 可承载1.2A电流， 展现优异功率管理。 内阻最大仅260mΩ， 保证低能耗高效率， 是追求精细控制与稳定输出的电子设计中， 不可或缺的高性能元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-723
库存
100
货期
现货
HRUM002N02T2L参数
| 封装 | SOT-723 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
HRUM002N02T2L概述
这款N沟道MOSFET， 设计精巧， 耐压高达20V， 可承载1.2A电流， 展现优异功率管理。 内阻最大仅260mΩ， 保证低能耗高效率， 是追求精细控制与稳定输出的电子设计中， 不可或缺的高性能元件。
HRUM002N02T2L特性
暂无产品特性。
HRUM002N02T2L应用领域
暂无应用领域。