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HRN1910LF
IC

SOT-363

可供量大可议

HRN1910LF

这款数字晶体管属于NPN+NPN类型, 具备稳定的电气特性, 适用于多种电子电路设计。 其集射极击穿电压(Vceo)高达50V, 确保了在高压环境下工作的可靠性。 集电极最大电流(Ic)为100mA, 适用于驱动各类小型负载或信号放大场合。 该晶体管的最大耗散功率(Pd)为150mW, 在保证效率的同时, 也考虑到了散热与稳定性之间的平衡。 适用于音频处理、通信设备中的信号放大及开关应用等场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-363

库存

80

货期

现货

HRN1910LF参数

封装SOT-363
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类数字晶体管
库存80

HRN1910LF概述

这款数字晶体管属于NPN+NPN类型, 具备稳定的电气特性, 适用于多种电子电路设计。 其集射极击穿电压(Vceo)高达50V, 确保了在高压环境下工作的可靠性。 集电极最大电流(Ic)为100mA, 适用于驱动各类小型负载或信号放大场合。 该晶体管的最大耗散功率(Pd)为150mW, 在保证效率的同时, 也考虑到了散热与稳定性之间的平衡。 适用于音频处理、通信设备中的信号放大及开关应用等场景。

HRN1910LF特性

暂无产品特性。

HRN1910LF应用领域

暂无应用领域。

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