HRN1910LF
IC
SOT-363
可供量大可议
HRN1910LF
这款数字晶体管属于NPN+NPN类型, 具备稳定的电气特性, 适用于多种电子电路设计。 其集射极击穿电压(Vceo)高达50V, 确保了在高压环境下工作的可靠性。 集电极最大电流(Ic)为100mA, 适用于驱动各类小型负载或信号放大场合。 该晶体管的最大耗散功率(Pd)为150mW, 在保证效率的同时, 也考虑到了散热与稳定性之间的平衡。 适用于音频处理、通信设备中的信号放大及开关应用等场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-363
库存
80
货期
现货
HRN1910LF参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 80 |
HRN1910LF概述
这款数字晶体管属于NPN+NPN类型, 具备稳定的电气特性, 适用于多种电子电路设计。 其集射极击穿电压(Vceo)高达50V, 确保了在高压环境下工作的可靠性。 集电极最大电流(Ic)为100mA, 适用于驱动各类小型负载或信号放大场合。 该晶体管的最大耗散功率(Pd)为150mW, 在保证效率的同时, 也考虑到了散热与稳定性之间的平衡。 适用于音频处理、通信设备中的信号放大及开关应用等场景。
HRN1910LF特性
暂无产品特性。
HRN1910LF应用领域
暂无应用领域。
