HRN1101LXHF
IC
SOT-523
可供量大可议
HRN1101LXHF
该数字晶体管为NPN型结构, 适用于各类信号处理与开关控制电路。 其集射极击穿电压(Vceo)为50V, 可支持较高电压环境下的稳定工作。 最大集电极电流为100mA, 适合中低电流应用需求。 器件的额定功率为150mW, 具备良好的热稳定性与可靠性。 广泛应用于消费类电子产品、通信设备及便携式装置中的逻辑控制、驱动电路与信号放大等场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-523
库存
60
货期
现货
HRN1101LXHF参数
| 封装 | SOT-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 60 |
HRN1101LXHF概述
该数字晶体管为NPN型结构, 适用于各类信号处理与开关控制电路。 其集射极击穿电压(Vceo)为50V, 可支持较高电压环境下的稳定工作。 最大集电极电流为100mA, 适合中低电流应用需求。 器件的额定功率为150mW, 具备良好的热稳定性与可靠性。 广泛应用于消费类电子产品、通信设备及便携式装置中的逻辑控制、驱动电路与信号放大等场景。
HRN1101LXHF特性
暂无产品特性。
HRN1101LXHF应用领域
暂无应用领域。
