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HRN1101LXHF
IC

SOT-523

可供量大可议

HRN1101LXHF

该数字晶体管为NPN型结构, 适用于各类信号处理与开关控制电路。 其集射极击穿电压(Vceo)为50V, 可支持较高电压环境下的稳定工作。 最大集电极电流为100mA, 适合中低电流应用需求。 器件的额定功率为150mW, 具备良好的热稳定性与可靠性。 广泛应用于消费类电子产品、通信设备及便携式装置中的逻辑控制、驱动电路与信号放大等场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-523

库存

60

货期

现货

HRN1101LXHF参数

封装SOT-523
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类数字晶体管
库存60

HRN1101LXHF概述

该数字晶体管为NPN型结构, 适用于各类信号处理与开关控制电路。 其集射极击穿电压(Vceo)为50V, 可支持较高电压环境下的稳定工作。 最大集电极电流为100mA, 适合中低电流应用需求。 器件的额定功率为150mW, 具备良好的热稳定性与可靠性。 广泛应用于消费类电子产品、通信设备及便携式装置中的逻辑控制、驱动电路与信号放大等场景。

HRN1101LXHF特性

暂无产品特性。

HRN1101LXHF应用领域

暂无应用领域。

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