HRK7002BMHZG

这款N沟道场效应管（MOSFET）具备0.3A的连续排水电流能力， 最大漏源耐压（VDSS）为60V， 适用于多种低压直流电路。 其导通状态下的漏源电阻（RDSON）为1000毫欧， 表明在导通状态下损耗较低。 栅源电压（VGS）最高可达20V， 确保了良好的驱动兼容性。 此MOSFET适合用于需要快速开关或精确电流控制的电子装置中。