HRH4N65AED
IC
TO-252
可供量大可议
HRH4N65AED
基于先进的平面条纹 DMOS 技术， 该 MOSFET 系列优化了导通电阻， 还提供了卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于高效开关电源。
品牌
HRmicro
封装
TO-252
库存
165
货期
现货
HRH4N65AED参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HRmicro(华瑞微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 165 |
HRH4N65AED概述
基于先进的平面条纹 DMOS 技术， 该 MOSFET 系列优化了导通电阻， 还提供了卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于高效开关电源。
HRH4N65AED特性
暂无产品特性。
HRH4N65AED应用领域
暂无应用领域。