HRCLAMP3331PQTCT
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HRCLAMP3331PQTCT
这款双向ESD静电保护二极管, 专为3.3V电压应用而生, 单一通道设计。 4A峰值电流处理能力, 为电路提供强大的静电冲击防护。 0.3pF的超低电容值, 确保高速信号无损传输, 是精密电子和高速通信领域防静电的优选方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
270
货期
现货
HRCLAMP3331PQTCT参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 270 |
HRCLAMP3331PQTCT概述
这款双向ESD静电保护二极管, 专为3.3V电压应用而生, 单一通道设计。 4A峰值电流处理能力, 为电路提供强大的静电冲击防护。 0.3pF的超低电容值, 确保高速信号无损传输, 是精密电子和高速通信领域防静电的优选方案。
HRCLAMP3331PQTCT特性
暂无产品特性。
HRCLAMP3331PQTCT应用领域
暂无应用领域。
