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HRCLAMP3331PQTCT
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HRCLAMP3331PQTCT

这款双向ESD静电保护二极管, 专为3.3V电压应用而生, 单一通道设计。 4A峰值电流处理能力, 为电路提供强大的静电冲击防护。 0.3pF的超低电容值, 确保高速信号无损传输, 是精密电子和高速通信领域防静电的优选方案。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

270

货期

现货

HRCLAMP3331PQTCT参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存270

HRCLAMP3331PQTCT概述

这款双向ESD静电保护二极管, 专为3.3V电压应用而生, 单一通道设计。 4A峰值电流处理能力, 为电路提供强大的静电冲击防护。 0.3pF的超低电容值, 确保高速信号无损传输, 是精密电子和高速通信领域防静电的优选方案。

HRCLAMP3331PQTCT特性

暂无产品特性。

HRCLAMP3331PQTCT应用领域

暂无应用领域。

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