HRB551V30TE17
IC
SOD-323
可供量大可议
HRB551V30TE17
该肖特基二极管具有0.5A的正向平均整流电流(IF)和30V的反向耐压(VR), 适用于需要高效能、低电压降的应用场景。 其正向电压降(VF)仅为0.47V, 确保了在导通状态下功耗较低。 反向漏电流(IR)控制在100μA以内, 表明其优秀的反向阻断能力。 此外, 它能够承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 为电路提供额外的安全保护。 这款二极管适合于对效率和稳定性有较高要求的电子设备中使用。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
2,840
货期
现货
HRB551V30TE17参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 2840 |
HRB551V30TE17概述
该肖特基二极管具有0.5A的正向平均整流电流(IF)和30V的反向耐压(VR), 适用于需要高效能、低电压降的应用场景。 其正向电压降(VF)仅为0.47V, 确保了在导通状态下功耗较低。 反向漏电流(IR)控制在100μA以内, 表明其优秀的反向阻断能力。 此外, 它能够承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 为电路提供额外的安全保护。 这款二极管适合于对效率和稳定性有较高要求的电子设备中使用。
HRB551V30TE17特性
暂无产品特性。
HRB551V30TE17应用领域
暂无应用领域。
