HPMV213SN215

这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有2A的最大漏极电流（ID）， 适合用于要求不高电流的应用场合。 其漏源极击穿电压（VDSS）高达100V， 确保了在高电压环境下的可靠工作。 导通电阻（RDS(on)）为220mΩ， 虽然相对较高， 但在低功耗应用中仍能保持良好的效率。 该器件支持±20V的栅源极电压（VGS）， 增强了其在复杂电路中的适应性。 此MOSFET可广泛应用于各种电子设备中， 如电源转换、信号调节等领域， 作为开关或放大元件， 能够满足多样化的设计需求。