HPK616BA

此款N沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气性能， 其最大漏极电流（ID）可达80A， 确保了高负载条件下的稳定运行。 该器件的漏源极间电压（VDSS）为30V， 适用于多种电路设计中， 能够承受较高的电压波动。 导通电阻（RDS(on)）低至4.7mΩ， 在保证效率的同时减少了热能损耗。 栅源极电压（VGS）范围为±20V， 提供了宽泛的操作灵活性。 此MOSFET适用于电源管理、信号处理等电子设备中的开关或放大功能， 能够有效提升系统的整体性能。