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HPJSD12W_R1
IC

SOD-323

可供量大可议

HPJSD12W_R1

这款单通道Uni单向保护装置, 专为电压保护优化, 具备12V反向耐压能力(VRWM), 确保电路在高压条件下的正常运行。 其强大的12A峰值电流吸收效能(IPP), 能有效应对瞬时电流冲击。 尽管电容值为110pF, 可能对高速信号有轻微影响, 但仍为广泛电子设备提供了稳固的过电压防护, 增强系统总体的稳定性和可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

50

货期

现货

HPJSD12W_R1参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存50

HPJSD12W_R1概述

这款单通道Uni单向保护装置, 专为电压保护优化, 具备12V反向耐压能力(VRWM), 确保电路在高压条件下的正常运行。 其强大的12A峰值电流吸收效能(IPP), 能有效应对瞬时电流冲击。 尽管电容值为110pF, 可能对高速信号有轻微影响, 但仍为广泛电子设备提供了稳固的过电压防护, 增强系统总体的稳定性和可靠性。

HPJSD12W_R1特性

暂无产品特性。

HPJSD12W_R1应用领域

暂无应用领域。

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