HPJSD12W_R1
IC
SOD-323
可供量大可议
HPJSD12W_R1
这款单通道Uni单向保护装置, 专为电压保护优化, 具备12V反向耐压能力(VRWM), 确保电路在高压条件下的正常运行。 其强大的12A峰值电流吸收效能(IPP), 能有效应对瞬时电流冲击。 尽管电容值为110pF, 可能对高速信号有轻微影响, 但仍为广泛电子设备提供了稳固的过电压防护, 增强系统总体的稳定性和可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
50
货期
现货
HPJSD12W_R1参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
HPJSD12W_R1概述
这款单通道Uni单向保护装置, 专为电压保护优化, 具备12V反向耐压能力(VRWM), 确保电路在高压条件下的正常运行。 其强大的12A峰值电流吸收效能(IPP), 能有效应对瞬时电流冲击。 尽管电容值为110pF, 可能对高速信号有轻微影响, 但仍为广泛电子设备提供了稳固的过电压防护, 增强系统总体的稳定性和可靠性。
HPJSD12W_R1特性
暂无产品特性。
HPJSD12W_R1应用领域
暂无应用领域。
