HPJSD05CFN2
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HPJSD05CFN2
此款ESD静电保护二极管为双向单通道设计, 工作电压VRWM为5V, 可承受20A瞬时冲击电流, 为电路提供坚强的静电防护。 其紧凑的40pF电容值确保高速信号畅通无阻, 是保护电子设备免受静电损伤的精选组件, 提升系统整体的稳定性和耐用度。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
400
货期
现货
HPJSD05CFN2参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 400 |
HPJSD05CFN2概述
此款ESD静电保护二极管为双向单通道设计, 工作电压VRWM为5V, 可承受20A瞬时冲击电流, 为电路提供坚强的静电防护。 其紧凑的40pF电容值确保高速信号畅通无阻, 是保护电子设备免受静电损伤的精选组件, 提升系统整体的稳定性和耐用度。
HPJSD05CFN2特性
暂无产品特性。
HPJSD05CFN2应用领域
暂无应用领域。
