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HPJSD05CFN2
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HPJSD05CFN2

此款ESD静电保护二极管为双向单通道设计, 工作电压VRWM为5V, 可承受20A瞬时冲击电流, 为电路提供坚强的静电防护。 其紧凑的40pF电容值确保高速信号畅通无阻, 是保护电子设备免受静电损伤的精选组件, 提升系统整体的稳定性和耐用度。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

400

货期

现货

HPJSD05CFN2参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存400

HPJSD05CFN2概述

此款ESD静电保护二极管为双向单通道设计, 工作电压VRWM为5V, 可承受20A瞬时冲击电流, 为电路提供坚强的静电防护。 其紧凑的40pF电容值确保高速信号畅通无阻, 是保护电子设备免受静电损伤的精选组件, 提升系统整体的稳定性和耐用度。

HPJSD05CFN2特性

暂无产品特性。

HPJSD05CFN2应用领域

暂无应用领域。

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