HPHD71NQ03LT118
IC
TO-252-2L(DPAK)
可供量大可议
HPHD71NQ03LT118
这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有50A的最大连续漏极电流（ID/A）和30V的漏源极击穿电压（VDSS/V）， 适用于对电流承载能力和电压耐受性有较高要求的应用。 其7.5毫欧的导通电阻（RDON/mR）确保了在大电流条件下也能保持较低的功率损耗， 提升了系统的整体效率。 该MOSFET的栅源电压（VGS/V）为20V， 支持在广泛的电压范围内稳定工作。 此元件适用于开关电源、电机驱动和信号处理等多种应用场景， 是实现高效转换和精确控制的优选解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L(DPAK)
库存
145
货期
现货
HPHD71NQ03LT118参数
| 封装 | TO-252-2L(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 145 |
HPHD71NQ03LT118概述
这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有50A的最大连续漏极电流（ID/A）和30V的漏源极击穿电压（VDSS/V）， 适用于对电流承载能力和电压耐受性有较高要求的应用。 其7.5毫欧的导通电阻（RDON/mR）确保了在大电流条件下也能保持较低的功率损耗， 提升了系统的整体效率。 该MOSFET的栅源电压（VGS/V）为20V， 支持在广泛的电压范围内稳定工作。 此元件适用于开关电源、电机驱动和信号处理等多种应用场景， 是实现高效转换和精确控制的优选解决方案。
HPHD71NQ03LT118特性
暂无产品特性。
HPHD71NQ03LT118应用领域
暂无应用领域。