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HPESDXC2FD5VU
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HPESDXC2FD5VU

该ESD静电保护二极管为单向类型, 专为单一电路通道设计, 可在5伏特电压下稳定工作, 承受4安培峰值瞬态电流, 为电子设备提供精确的静电防护。 其超低电容0.6皮法, 确保高速信号无损传输, 特别适用于要求严格的高频信号线路保护, 提升系统整体性能与稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

20

货期

现货

HPESDXC2FD5VU参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存20

HPESDXC2FD5VU概述

该ESD静电保护二极管为单向类型, 专为单一电路通道设计, 可在5伏特电压下稳定工作, 承受4安培峰值瞬态电流, 为电子设备提供精确的静电防护。 其超低电容0.6皮法, 确保高速信号无损传输, 特别适用于要求严格的高频信号线路保护, 提升系统整体性能与稳定性。

HPESDXC2FD5VU特性

暂无产品特性。

HPESDXC2FD5VU应用领域

暂无应用领域。

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