HPESDXC2FD5VU
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HPESDXC2FD5VU
该ESD静电保护二极管为单向类型, 专为单一电路通道设计, 可在5伏特电压下稳定工作, 承受4安培峰值瞬态电流, 为电子设备提供精确的静电防护。 其超低电容0.6皮法, 确保高速信号无损传输, 特别适用于要求严格的高频信号线路保护, 提升系统整体性能与稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
20
货期
现货
HPESDXC2FD5VU参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
HPESDXC2FD5VU概述
该ESD静电保护二极管为单向类型, 专为单一电路通道设计, 可在5伏特电压下稳定工作, 承受4安培峰值瞬态电流, 为电子设备提供精确的静电防护。 其超低电容0.6皮法, 确保高速信号无损传输, 特别适用于要求严格的高频信号线路保护, 提升系统整体性能与稳定性。
HPESDXC2FD5VU特性
暂无产品特性。
HPESDXC2FD5VU应用领域
暂无应用领域。
