HPESDWC2FD5VB
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HPESDWC2FD5VB
这款ESD静电保护二极管设计为双向, 专为单通道应用打造, 提供5V的电压保护阈值, 能有效应对瞬态高压事件。 其具备2.5A的峰值脉冲电流处理能力, 确保敏感电路免受静电冲击。 低至2.5pF的电容值保证了信号完整性, 特别适合于高速数据传输线路, 不会引入明显延迟, 为精密电子设备提供稳定而高效的防护解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
40
货期
现货
HPESDWC2FD5VB参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
HPESDWC2FD5VB概述
这款ESD静电保护二极管设计为双向, 专为单通道应用打造, 提供5V的电压保护阈值, 能有效应对瞬态高压事件。 其具备2.5A的峰值脉冲电流处理能力, 确保敏感电路免受静电冲击。 低至2.5pF的电容值保证了信号完整性, 特别适合于高速数据传输线路, 不会引入明显延迟, 为精密电子设备提供稳定而高效的防护解决方案。
HPESDWC2FD5VB特性
暂无产品特性。
HPESDWC2FD5VB应用领域
暂无应用领域。
