HPESDUC3D3V3B
IC
SOD-323
可供量大可议
HPESDUC3D3V3B
该ESD静电保护二极管为双向单通道设计, 适合于低电压应用环境, 额定电压VRWM为3.3V。 凭借其卓越的20A峰值电流处理能力, 能有效抑制静电放电造成的损害。 1pF的小电容值确保高速信号无延迟通过, 是保护敏感电子设备免受静电冲击的高效解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
65
货期
现货
HPESDUC3D3V3B参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 65 |
HPESDUC3D3V3B概述
该ESD静电保护二极管为双向单通道设计, 适合于低电压应用环境, 额定电压VRWM为3.3V。 凭借其卓越的20A峰值电流处理能力, 能有效抑制静电放电造成的损害。 1pF的小电容值确保高速信号无延迟通过, 是保护敏感电子设备免受静电冲击的高效解决方案。
HPESDUC3D3V3B特性
暂无产品特性。
HPESDUC3D3V3B应用领域
暂无应用领域。
