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HPESDUC3D3V3B
IC

SOD-323

可供量大可议

HPESDUC3D3V3B

该ESD静电保护二极管为双向单通道设计, 适合于低电压应用环境, 额定电压VRWM为3.3V。 凭借其卓越的20A峰值电流处理能力, 能有效抑制静电放电造成的损害。 1pF的小电容值确保高速信号无延迟通过, 是保护敏感电子设备免受静电冲击的高效解决方案。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

65

货期

现货

HPESDUC3D3V3B参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存65

HPESDUC3D3V3B概述

该ESD静电保护二极管为双向单通道设计, 适合于低电压应用环境, 额定电压VRWM为3.3V。 凭借其卓越的20A峰值电流处理能力, 能有效抑制静电放电造成的损害。 1pF的小电容值确保高速信号无延迟通过, 是保护敏感电子设备免受静电冲击的高效解决方案。

HPESDUC3D3V3B特性

暂无产品特性。

HPESDUC3D3V3B应用领域

暂无应用领域。

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