HPESDUC2XD3V3BF
IC
DFN0603-2L
可供量大可议
HPESDUC2XD3V3BF
这款双向ESD静电保护二极管专为单一信号线设计, 可在3.3V电压下稳定工作, 提供4A峰值电流防护, 有效抵御静电破坏。 其电容值仅为0.55pF, 确保高速信号传输无衰减, 是保护高频数据线路、提升系统稳定性和数据完整性的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN0603-2L
库存
100
货期
现货
HPESDUC2XD3V3BF参数
| 封装 | DFN0603-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
HPESDUC2XD3V3BF概述
这款双向ESD静电保护二极管专为单一信号线设计, 可在3.3V电压下稳定工作, 提供4A峰值电流防护, 有效抵御静电破坏。 其电容值仅为0.55pF, 确保高速信号传输无衰减, 是保护高频数据线路、提升系统稳定性和数据完整性的理想选择。
HPESDUC2XD3V3BF特性
暂无产品特性。
HPESDUC2XD3V3BF应用领域
暂无应用领域。
