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HPESDUC2XD3V3BF
IC

DFN0603-2L

可供量大可议

HPESDUC2XD3V3BF

这款双向ESD静电保护二极管专为单一信号线设计, 可在3.3V电压下稳定工作, 提供4A峰值电流防护, 有效抵御静电破坏。 其电容值仅为0.55pF, 确保高速信号传输无衰减, 是保护高频数据线路、提升系统稳定性和数据完整性的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN0603-2L

库存

100

货期

现货

HPESDUC2XD3V3BF参数

封装DFN0603-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存100

HPESDUC2XD3V3BF概述

这款双向ESD静电保护二极管专为单一信号线设计, 可在3.3V电压下稳定工作, 提供4A峰值电流防护, 有效抵御静电破坏。 其电容值仅为0.55pF, 确保高速信号传输无衰减, 是保护高频数据线路、提升系统稳定性和数据完整性的理想选择。

HPESDUC2XD3V3BF特性

暂无产品特性。

HPESDUC2XD3V3BF应用领域

暂无应用领域。

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