HPESDRC2FD5VBL
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HPESDRC2FD5VBL
该ESD静电保护二极管为双向单路设计, 耐压5V, 峰值电流承受量4A, 为电路提供严密的静电防护网。 其0.5pF的超低电容值, 极大减少了信号延迟, 是保障高速信号传输和提升电子设备抗静电能力的理想元件, 适用于各种精密电路保护需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
220
货期
现货
HPESDRC2FD5VBL参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 220 |
HPESDRC2FD5VBL概述
该ESD静电保护二极管为双向单路设计, 耐压5V, 峰值电流承受量4A, 为电路提供严密的静电防护网。 其0.5pF的超低电容值, 极大减少了信号延迟, 是保障高速信号传输和提升电子设备抗静电能力的理想元件, 适用于各种精密电路保护需求。
HPESDRC2FD5VBL特性
暂无产品特性。
HPESDRC2FD5VBL应用领域
暂无应用领域。
