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HPESDRC2FD5VBL
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HPESDRC2FD5VBL

该ESD静电保护二极管为双向单路设计, 耐压5V, 峰值电流承受量4A, 为电路提供严密的静电防护网。 其0.5pF的超低电容值, 极大减少了信号延迟, 是保障高速信号传输和提升电子设备抗静电能力的理想元件, 适用于各种精密电路保护需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

220

货期

现货

HPESDRC2FD5VBL参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存220

HPESDRC2FD5VBL概述

该ESD静电保护二极管为双向单路设计, 耐压5V, 峰值电流承受量4A, 为电路提供严密的静电防护网。 其0.5pF的超低电容值, 极大减少了信号延迟, 是保障高速信号传输和提升电子设备抗静电能力的理想元件, 适用于各种精密电路保护需求。

HPESDRC2FD5VBL特性

暂无产品特性。

HPESDRC2FD5VBL应用领域

暂无应用领域。

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