HPESDNC2XD5VBF
IC
DFN0603-2L
可供量大可议
HPESDNC2XD5VBF
该静电和浪涌保护器件采用Bi双向设计, 适用于需要高效过压保护的电子设备。 其IPP/A(峰值脉冲电流)可达8A, 确保在面对强烈瞬态电压时仍能提供可靠保护; VRWM/V(工作电压)为5V, 适合于多种低压应用环境; CJ/pF(结电容)为15pF, 表明它在保证良好保护性能的同时, 对信号传输的影响较小。 单线配置简化了电路设计, 便于集成至各类消费电子产品中, 有效防止静电放电及浪涌损害。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN0603-2L
库存
400
货期
现货
HPESDNC2XD5VBF参数
| 封装 | DFN0603-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 400 |
HPESDNC2XD5VBF概述
该静电和浪涌保护器件采用Bi双向设计, 适用于需要高效过压保护的电子设备。 其IPP/A(峰值脉冲电流)可达8A, 确保在面对强烈瞬态电压时仍能提供可靠保护; VRWM/V(工作电压)为5V, 适合于多种低压应用环境; CJ/pF(结电容)为15pF, 表明它在保证良好保护性能的同时, 对信号传输的影响较小。 单线配置简化了电路设计, 便于集成至各类消费电子产品中, 有效防止静电放电及浪涌损害。
HPESDNC2XD5VBF特性
暂无产品特性。
HPESDNC2XD5VBF应用领域
暂无应用领域。
