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HPESDNC2XD5VBF
IC

DFN0603-2L

可供量大可议

HPESDNC2XD5VBF

该静电和浪涌保护器件采用Bi双向设计, 适用于需要高效过压保护的电子设备。 其IPP/A(峰值脉冲电流)可达8A, 确保在面对强烈瞬态电压时仍能提供可靠保护; VRWM/V(工作电压)为5V, 适合于多种低压应用环境; CJ/pF(结电容)为15pF, 表明它在保证良好保护性能的同时, 对信号传输的影响较小。 单线配置简化了电路设计, 便于集成至各类消费电子产品中, 有效防止静电放电及浪涌损害。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN0603-2L

库存

400

货期

现货

HPESDNC2XD5VBF参数

封装DFN0603-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存400

HPESDNC2XD5VBF概述

该静电和浪涌保护器件采用Bi双向设计, 适用于需要高效过压保护的电子设备。 其IPP/A(峰值脉冲电流)可达8A, 确保在面对强烈瞬态电压时仍能提供可靠保护; VRWM/V(工作电压)为5V, 适合于多种低压应用环境; CJ/pF(结电容)为15pF, 表明它在保证良好保护性能的同时, 对信号传输的影响较小。 单线配置简化了电路设计, 便于集成至各类消费电子产品中, 有效防止静电放电及浪涌损害。

HPESDNC2XD5VBF特性

暂无产品特性。

HPESDNC2XD5VBF应用领域

暂无应用领域。

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