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HPESDNC2XD3V3B
IC

DFN0603-2L

可供量大可议

HPESDNC2XD3V3B

这款双向ESD静电保护二极管专为3.3V电压应用打造, 单一通道设计确保了电路中的双向静电防护。 它能承受最大5A的瞬时电流冲击, 拥有12pF的电容值, 适合于对信号速度要求不那么严格的环境。 该器件能有效抵御静电破坏, 为您的电子设备增添一层坚固的保护屏障。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN0603-2L

库存

50

货期

现货

HPESDNC2XD3V3B参数

封装DFN0603-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 50
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存50

HPESDNC2XD3V3B概述

这款双向ESD静电保护二极管专为3.3V电压应用打造, 单一通道设计确保了电路中的双向静电防护。 它能承受最大5A的瞬时电流冲击, 拥有12pF的电容值, 适合于对信号速度要求不那么严格的环境。 该器件能有效抵御静电破坏, 为您的电子设备增添一层坚固的保护屏障。

HPESDNC2XD3V3B特性

暂无产品特性。

HPESDNC2XD3V3B应用领域

暂无应用领域。

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