HPESDNC2XD3V3B
IC
DFN0603-2L
可供量大可议
HPESDNC2XD3V3B
这款双向ESD静电保护二极管专为3.3V电压应用打造, 单一通道设计确保了电路中的双向静电防护。 它能承受最大5A的瞬时电流冲击, 拥有12pF的电容值, 适合于对信号速度要求不那么严格的环境。 该器件能有效抵御静电破坏, 为您的电子设备增添一层坚固的保护屏障。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN0603-2L
库存
50
货期
现货
HPESDNC2XD3V3B参数
| 封装 | DFN0603-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
HPESDNC2XD3V3B概述
这款双向ESD静电保护二极管专为3.3V电压应用打造, 单一通道设计确保了电路中的双向静电防护。 它能承受最大5A的瞬时电流冲击, 拥有12pF的电容值, 适合于对信号速度要求不那么严格的环境。 该器件能有效抵御静电破坏, 为您的电子设备增添一层坚固的保护屏障。
HPESDNC2XD3V3B特性
暂无产品特性。
HPESDNC2XD3V3B应用领域
暂无应用领域。
